图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IPB050N06N G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB050N06N G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB050N06N G价格参考。InfineonIPB050N06N G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB050N06N G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB050N06N G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263MOSFET N-CH 60V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPB050N06N GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPP050N06N+G+Rev1.14.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42eda804a91 |
| 产品型号 | IPB050N06N G |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 270µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6100pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 167nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 其它名称 | IPB050N06NGINDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 59 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 系列 | IPB050N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPB050N06NGATMA1 |
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